SUMCO CORPORATION

FY = fiscal year, named by the calendar year it starts in; the month in brackets is when it ends (FY2025 ends Mar 2026 for a March year-end). FY2025 (Dec 2025) runs Jan 1, 2025 – Dec 31, 2025.

当社グループ(当社及び当社の関係会社)は、当社、連結子会社16社、非連結子会社３社、持分法適用関連会社１社により構成されています。 当社グループの事業は半導体(注１)メーカー向けシリコンウェーハの製造及び販売を主体とした「高純度シリコン事業」のみの単一セグメントであります。 (1) 高純度シリコン事業について 当社グループが製造及び販売を行う半導体用シリコンウェーハは、当社グループの顧客である半導体メーカーがメモリーやロジック等の各種半導体を製造するうえで基板材料として用いられるものであります。 半導体の製造工程においては、シリコンウェーハの口径が大きいほど一枚当たりのシリコンウェーハから切り出される半導体の個数が多くなるため生産性が向上し、さらに、半導体を切り出す際に周縁部で無駄となる部分の割合が減ることで歩留りが向上するため、半導体メーカーにおけるコスト削減の要請に応え、シリコンウェーハの口径は100mmから、125mm、150mm、200mm、300mmと世代ごとにその口径が大きくなっております。 このような背景のもと、当社グループは、国内外の製造拠点において、各口径のポリッシュトウェーハ(注２)や、その表面にさらに特殊加工を施したエピタキシャルウェーハ(注３)等の製造を行っております。 (2) 当社グループの生産体制及び販売体制について (半導体用シリコンウェーハの製造工程及び製造方法) 半導体用シリコンウェーハの製造工程は、大きく「単結晶引上工程」と「ウェーハ加工工程」に区分されます。単結晶引上工程においては、結晶炉内に設置した高純度石英ルツボ(注４)の中で加熱溶融した多結晶シリコンを、時間をかけて単結晶を成長させながら引き上げることにより、単結晶シリコンのインゴット(塊)を製造いたします。次に、ウェーハ加工工程において、単結晶引上工程にて製造された単結晶シリコンインゴットを厚さ１mm以下にスライスし、研削、研磨、洗浄等の工程を経てシリコンウェーハ(ポリッシュトウェーハ)に仕上げます。さらにポリッシュトウェーハの表面に特殊加工を施したエピタキシャルウェーハ等の製品も製造しております。 (当社グループの生産体制) 当社グループにおいて、300mmウェーハについては、佐賀県伊万里市、佐賀県杵島郡江北町、山形県米沢市、長崎県大村市、台湾に製造拠点を置いております。 200mm以下のウェーハについては、佐賀県伊万里市、佐賀県杵島郡江北町、山形県米沢市、北海道千歳市、長崎県大村市、宮崎県宮崎市、米国、インドネシア、台湾に製造拠点を置いております。 さらに半導体用多結晶シリコンについては、三重県四日市市及び米国に製造拠点を置いております。 (当社グループの販売体制) 当社グループの販売体制は、全世界の半導体メーカーに対応するため、次のような体制としております。 日本国内では東京、大阪、福岡に営業拠点を置き、北米地域では米国に販売機能を置いております。また、アジア地域には台湾及びシンガポールに営業活動を行う子会社を置くとともに、台湾及び韓国に技術サポートを行う子会社を置いております。欧州とその近隣地域では、英国の販売子会社が営業活動を行っております。 (注)１．半導体 一般に「半導体」という場合、物質・物性の呼び名でなく、半導体を材料として用いて作られたダイオードやトランジスタ、またトランジスタ等の集積回路であるIC(これらを総称して「デバイス」ともいいます。)等を指します。 (注)２．ポリッシュトウェーハ 半導体用のシリコンウェーハの表面はインゴット状の単結晶から円板状にスライスされた後、鏡面加工を施されます。この状態のウェーハを「ポリッシュトウェーハ」といいます。 (注)３．エピタキシャルウェーハ ポリッシュトウェーハの表面上に、反応炉内で気相成長法によって薄いシリコン単結晶層を形成させ、これによって表面部分の品質を高めたものであります。 (注)４．高純度石英ルツボ シリコン単結晶を製造する際に使用される容器には、加熱溶融した原材料にシリコン以外の不純物が混入しないことが求められることから、高純度石英ルツボが使用されます。 ［事業系統図］ 以上の事項を事業系統図によって示すと次のとおりであります。(※は連結子会社)